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NPE-4000��ICPM��ICPECVD�������廯ѧ�������ϵͳ����ŵ�й�����˾
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NIM-4000��M������ϳϵͳ����ŵ�й�����˾
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145" SS Cube ion beam chamber. 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters. Chilled water cooled 6" substrate platen. Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor. Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal. Typical Etch Rates: 200? Min Cu, 500? 3% etch uniformity over 6 area. Torr 20 minutes 2 x10. Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo. Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump. Magnetron Sputtering of Si.
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PECVD等离子化学气相沉积系统,PECVD等离子化学气相沉积系统型号,PECVD等离子化学气相沉积系统介绍-那诺中国有限公司
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NPE-4000 ICPA 全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到最大可达6 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。 可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。 NPE-4000 ICPM ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到最大可达12 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。 可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。 NPE-4000 A 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到最大可达12 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。 可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。
公司动态－那诺中国有限公司
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共 25 条记录，当前 1 / 1 页 首页 上一页 下一页 末页 跳转到第. 主营导航 热真空系统,光学元件镀膜机,单片晶圆清洗机,进口微波去胶机,进口双模式刻蚀机. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
Ion Beam离子束沉积,Ion Beam离子束沉积型号,Ion Beam离子束沉积介绍-那诺中国有限公司
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共 0 条记录，当前 1 / 1 页 首页. 那诺中国有限公司是国内专业的Ion Beam离子束沉积厂家，Ion Beam离子束沉积各种型号都有出售，Ion Beam离子束沉积详细介绍欢迎广大顾客请进站查询. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
资料下载－那诺中国有限公司
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等离子反应离子刻蚀,等离子反应离子刻蚀型号,等离子反应离子刻蚀介绍-那诺中国有限公司
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NRE-3000型RIE-PE刻蚀机 PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13 的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2 的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12 的晶圆片。 NRE-4000型RIE-PE刻蚀机 提供PC控制的PE刻蚀RIE刻蚀一体机，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13 的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2 的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12 的晶圆片。 NRE-3500型RIE-PE刻蚀机 PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀一体机，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13 的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2 的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持最大到12 的晶圆片。 共 15 条记录，当前 1 / 4 页 首页. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237.
离子铣离子束刻蚀,离子铣离子束刻蚀型号,离子铣离子束刻蚀介绍-那诺中国有限公司
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NIE-4000 R RIBE反应离子束刻蚀 如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。 NIM-4000 M 离子铣系统 利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。 NIM-4000 A 全自动离子铣刻蚀 利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。 NIE-4000 A 全自动IBE离子束刻蚀 如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。 共 10 条记录，当前 1 / 3 页 首页. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
清洗去胶系统,清洗去胶系统型号,清洗去胶系统介绍-那诺中国有限公司
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NPC-4000 A 全自动等离子清洗机 NANO-MASTER 等离子清洗和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。 典型工艺包含 大剂量离子注入后的光刻胶去除 干法刻蚀工艺的前处理或后处理 MEMS制造中的牺牲层去除。 典型工艺包含 大剂量离子注入后的光刻胶去除 干法刻蚀工艺的前处理或后处理 MEMS制造中的牺牲层去除。 共 49 条记录，当前 1 / 13 页 首页. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
PLD脉冲激光沉积,PLD脉冲激光沉积型号,PLD脉冲激光沉积介绍-那诺中国有限公司
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NPD-4000 A 全自动PLD脉冲激光沉积系统 脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。 NPD-4000 M PLD脉冲激光沉积系统 脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。 共 2 条记录，当前 1 / 1 页 首页. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
技术文章－那诺中国有限公司
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Sputter磁控溅射系统,Sputter磁控溅射系统型号,Sputter磁控溅射系统介绍-那诺中国有限公司
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NSC-4000 A 全自动磁控溅射系统 立式自动系统，带有水冷或者加热 最高可加热到700度 功能，最大到6 旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。 NSC-4000 M 磁控溅射系统 带有水冷或者加热 最高可加热到700度 功能，最大到8 旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。 NSC-3500 A 全自动磁控溅射系统 立式自动系统，带有水冷或者加热 最高可加热到700度 功能，最大到6 旋转平台，最大可支持到4个偏轴平面磁控管。 NSC-3500 M 磁控溅射系统 带有水冷或者加热 最高可加热到700度 功能，最大到8 旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。 共 8 条记录，当前 1 / 2 页 首页. 公司名称 那诺中国有限公司 公司地址:上海老沪闵路728弄14号 邮政编码 200237. 联系人 吴运祥 联系电话 86-021-31663529传真号码 86-021-31663529 手机号码 18916157635 公司网址 www.nanochina17.com.
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